SiC（炭化ケイ素）は導電体か？

炭化ケイ素（SiC）は、その卓越した硬度、耐熱性、そして半導体特性によって高く評価されている産業用材料です。しかし「SiCは電気の良導体なのか？」という疑問がよく挙がります。その答えは、原料としての研磨材形態で使用されるのか、あるいは電子部品として工学的に設計された形態で使用されるのかによって異なります。本記事では、炭化ケイ素の電気伝導性とその産業用途を解説します。

半導体としての炭化ケイ素

炭化ケイ素はワイドバンドギャップ半導体に分類されます。これは金属よりも電気抵抗が高いものの、特定条件下では電気を伝導できるという意味です。金属のように自由電子の流れをそのまま許すわけではありませんが、適切なドーピング（不純物の添加）によって効率的な導電体となり、とくに高温・高電圧環境で優れた性能を発揮します。

• バンドギャップ： 約3.2 eV（シリコンは1.1 eV）
• 結晶構造： 六方晶（4H, 6H）または立方晶（3C）多形
• 絶縁破壊電圧： シリコンの最大10倍

パワーエレクトロニクスで重要な理由

電子産業において、炭化ケイ素はその電気的特性から高く評価されています。代表的な用途は以下の通りです：

• ショットキーダイオード
• MOSFET（メタル・オキシド・半導体電界効果トランジスタ）
• EV、太陽光インバータ、航空宇宙システム向けのパワーモジュール

これらのデバイスは、高周波・高温条件下で従来のシリコン部品よりも優れた性能を示し、省エネ化や小型化を進めるうえで不可欠な存在となっています。

原料SiC（研磨材など）の導電性

焼結体や研磨材としての原料形態では、炭化ケイ素は電気伝導性の低い材料であり、セラミックスに近い性質を示します。しかし、特に高温下では一定の導電性を持ちます。このため、一部の加熱素子（例：炉用SiC発熱体）に利用されています。

SiC研磨材の電気抵抗率：

• 室温： 約10⁵ ～ 10⁸ Ω·cm（非常に高い抵抗値）
• 高温（約1000℃）： 導電性が大幅に向上

したがって、原料SiCは銅やアルミのような「良導体」ではありませんが、高温環境での中程度の導電性を活かして、窯炉部材、発熱体、静電気拡散材料などに応用されています。

比較表：SiCとその他導電材料

結論

炭化ケイ素は伝統的な意味での「良導体」ではありません。しかし、半導体として高電圧・高温環境においてシリコンを凌駕する性能を持ちます。一方、研磨材などの原料形態では導電性は限定的ですが、高温下での適度な伝導性を利用して加熱素子や静電気対策用途に応用されています。

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